теория кристаллических решеток

Динамическая теория кристаллических решеток как раздел квантовой теории конденсированных сред за последние годы, по сути дела, переживает второе рождение. На начальных стадиях своего становления, благодаря работам М. Борна, Л. Д. Ландау, П. Л. Капицы, Дж. Бардина, Ф. Блоха, Е. Вигнера и многих других исследователей, эта теория, в основном, разрабатывалась для решения концептуальных задач: почему вещество обладает определенными свойствами, в чем заключается механизм электро- и теплопроводности, как влияет характер распределения потенциала на поведение электрона, как ведет себя вещество при низких температурах, какие требования необходимо предъявлять к модели твердотельной системы для достижения большего приближения теоретических расчетов к экспериментальным данным.  

За последние 25 лет были открыты новые типы веществ (квазикристаллы, фуллерены, фрактальные кластеры, несоизмеримые структуры и др.). Большее внимание стали уделять исследованию дефектов, как факторов, позволяющих изменять свойства веществ в требуемом направлении. Нанотехнологии потребовали от физиков более тщательного изучения различных граничных и размерных эффектов. Многие вопросы теории, требующиеся для анализа указанных (и многих других) вопросов, ждут своего решения, но совершенно очевидно, что эти решения будут основываться на уже устоявшихся подходах динамической теории кристаллических решеток (или квантовой теории кристаллов). Именно поэтому при изучении дисциплиин «Физика конденсированного состояния», «Динамическая теория кристаллической решетки», «Физические основы электронной техники» основное внимание уделяется и классическому, и квантовому подходу к описанию поведения электрона в периодическом поле потенциала, а также анализу влияния дефектов и размера объекта на электронную энергетическую зонную структуру вещества и распространение в нем волн динамических возбуждений.